Igbt NGTB50N65S1

Igbt NGTB50N65S1

On semi Igbt, uradjen u FS Trench konstrukciji. Primarno namenjen za Inverterske aparate za zavarivanje, kao i za ostalu komercijalnu upotrebu.



Vce (napon kolektor-emiter)

(V)

650

+/-Vge (napon gejt-emiter)

(V)

20

Ic (struja kolektora) na  25 °C   

(A)

140

Ic (struja kolektora) na 100 °C   

(A)

50

Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.)

(A)

140

Ukupna snaga disipacije  25 °C

(W)

300

Kućište

 

TO-247   


Igbt
Ic (struja kolektora) na 25°C "A"140
Integrisana diodaDA
KućišteTO247
P (ukupna snaga disipacije) "W"300
TIPN-kanalni
Vce (napon kolektor-emiter) "V"650
Vge (napon gejt-emiter) "V"20

Napišite ocenu

Napomena: HTML oznake neće biti izvršene i prikazivaće se kao tekst!
    Loš           Dobar

  • Pregleda: 320
  • Brend: Inverter Elektronika
  • Šifra artikla: YW14-a
  • Raspoloživost: Na lageru
  • Preuzmi PDF: click to download pdf
  • 443 RSD
  • 5 ili više komada dobijate po ceni: 390 RSD

Tagovi: igbt, ngtb50n65s1, tranzistori