GT40RR21

Igbt GT40RR21

Novo IGBT tranzistori i moduli

Opis

GT40RR21 je takodje Igbt šeste generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, za visoko naponsko prekidanje strujnog kola, sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1350 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	40 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	1500 pF
Integrisana dioda	Da (RC-IGBT sa monolitski integrisanom dijaikom)