GT60PR21

Igbt GT60PR21

Novo IGBT tranzistori i moduli

Opis

GT60PR21 je takodje Igbt šeste generacije predvidjen za naponsko rezonantne inverterske aplikacije, za visoko naponsko prekidanje strujnog kola,sa ugradjenom zaštitnom diodom. Izuzente karakteristike ga svrstavaju u sam vrh za ovu namenu predvidjenih Igb-tranzistora.

Tehničke karakteristike

Vces (napon kolektor-emitor)	1100 V
Ic (struja kolektora) na 25 °C	60 A
Kućište	TO-3P(N)
Cies (ulazni kapacitet)	2350 pF
Integrisana dioda	Da, sa freewheeling diodom monolitski integrisanom u IGBT čipu