Osnovi dizajniranja Gejt drajvera Igbt se dovodi u stanje provodljivosti, kada se prikladan napon (obi?no +15V) dovede na gejt tranzistora, a struja je blokirana ako je Vge ispod napona držanja ( generalno je Vge(th) ispod 0V). Ovo su idealni uslovi I pod njima napon izme?u kolektora I emitera Vce bi trebao biti 0V, te su I gubici pri prekidanju tako?e nula, uzimaju?i u obzir da Igbt tranzistor radi u prekida?kom modu, a ne kao linearni poja?ava?.Naravno, u realnoj situaciji ovo nije mogu?e, tako da se kvalitetan Igbt približava ovom stanju, te se pri izboru samog tranzistora treba potruditi d...