Igbt GT50N324
Nema na lageru
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt GT50N324
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1000V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 50 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 120 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 150 / 75 |
Kućište |
| 2-16C1C |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 50 |
| Integrisana dioda | DA |
| Kućište | 2-16C1C |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 150 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 1000 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 25 |
- Pregleda: 1514
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW35-c
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
- 606 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 550 RSD
Ultra brzi IR (International rectifier) Igbt poslednje generacije,optimizovan za rad na frekve..
653 RSD
je još jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt pete generacije je predvidjen za napo..
915 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
''High speed'' N-kanalni Igbt sa integrisanom gejt-emiter ESD zaštitom, kao i prenaponskom zaš..
515 RSD