Igbt IHW20R120R3
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt IHW20R1202
Infineon-ov Igbt iz serije tranzistora za rezonantne prekidačke aplikacije uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, poseduje vrlo široku distribuciju parametara kao i temperaturnu stabilnost uz održanje mehaničke čvrstoće. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Induktivno kuvanje, inverterske mikrotalasne pećnice, rezonantni konverteri, aplikacije sa ''mekim'' prekidanjem itd).
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1200V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 40 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 20 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 60 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 310 / 155 |
Kućište |
| TO-247 |
- Pregleda: 1953
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW30-b
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 673 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 594 RSD
Driver TD352 ST kompanije uradjen u naprednoj tehnologiji poseduje aktivnu "Miller clamp" tehno..
499 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
594 RSD
Ultra brzi Igbt uradjen u NPT tehologiji, čije su prednosti: Mogućnost paralelnog povezivanja, umere..
475 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
581 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD