Igbt IKW75N60T K75T60
Nema na lageru
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt IKW75N60T K75T60
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brzo-pokrivajućom antiparalelnom EmCon HE diodom. Vreme podnošenja kratkog spoja je 5uS. Kao visoko naponski Igbt, pogodan je za paralelno vezivanje, što mu daje mogućnost upotrebe u veoma širokom dijapazonu različitih aplikacija (Frekventni konverteri, UPS, aparati za zavarivanje itd). Primer upotrebe je PEGAS 160E
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 80 |
Ic (struja kolektora) na 100 °C | (A) | 75 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 225 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 428 |
Kućište |
| TO-247-3 |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25°C "A" | 80 |
| Integrisana dioda | DA |
| Kućište | TO247 |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 428 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |
- Pregleda: 1682
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW9-b
- Raspoloživost: Nema na lageru
- Preuzmi PDF:
- 752 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 686 RSD