Igbt IXSH30N60B2D1
Za galeriju kliknite na sliku
Igbt IXSH30N60B2D1
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (2,5V pod punom strujom opterećenja od 48A), uradjen u HDmos tehnologiji druge generacije. Odlikuje ga stabilna održivost napona i na visokim temperaturama. Najčešće aplikacije su: Kontrola brzine AC motora, UPS, monofazni inverterski aparati za zavarivanje itd.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 °C | (A) | 48 |
Ic (struja kolektora) na 110 °C | (A) | 30 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uključ.) | (A) | 90A/25°C |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 445 |
Kućište |
| TO-247 |
- Pregleda: 1601
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW37-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 634 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 574 RSD
Najnoviji Infineon-ov jednokanalni galvanski izolovan Igbt drajver (driver), za Igbt-ove napona 600/..
693 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
594 RSD
Infineon-ov Igbt druge generacije, uradjen u TRENCHSTOPTM tehnologiji, sa ugradjenom mekom, brz..
792 RSD
''High speed'' Igbt sa niskim naponom Vce zasićenja (2,5V-3V pod punom strujom opterećenja od 40A), ..
1.844 RSD
Nema na lageruSilikonski N-kanalni Igbt sa velikom brzinom prekidanja, malim naponom zasićenja, niskom strujom cur..
127 RSD